ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ И ПОВЕРХНОСТНЫЙ ЗАРЯД В ПЕРЕКЛЮЧАЕМОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК-ДИЭЛЕКТРИК, ОПРЕДЕЛЕННЫЕ С ПОМОЩЬЮ СПЕКТРАЛЬНОГО ЗОНДА
Блинов Л.М., Лазарев В.В., Палто С.П., Юдин С.Г.

Поступила в редакцию: 21 Января 2014

DOI: 10.7868/S0044451014060172

DJVU (91.2K)

PDF (285.4K)

Предложен новый метод исследования напряженности переменных макроскопических полей в каждом из элементов тонкопленочных гетероструктур сегнетоэлектрик-диэлектрик при их электрическом переключении. Для этого непосредственно измеряется локальное поле, окружающее молекулы диэлектрика. Важно, что диэлектрик имеет характерную очень узкую полосу поглощения, которая используется в качестве зонда электрического поля. Исследуемая в работе гетероструктура состоит из стеклянной подложки, прозрачного электрода, слоя полимерного сегнетоэлектрика (толщиной 170 нм), диэлектрического слоя (толщиной 40 нм) и полупрозрачного электрода. Оба функциональных слоя получены по технологии Ленгмюра - Блоджетт. К электродам прилагается переменное электрическое напряжение, а локальное поле, возникшее в диэлектрике, измеряется методом электропоглощения. С учетом фактора Лоренца локальное поле легко пересчитывается в макроскопическое поле в диэлектрике, а затем и в сегнетоэлектрике. При этом классическая схема Сойера - Тауэра используется как дополнительный инструмент, который позволяет определить величину переключаемого поверхностного заряда на границе диэлектрика с сегнетоэлектриком.