ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФАКТОРОВ ВЛИЯНИЯ НА ДИСПЕРСИЮ ОБЪЕМНЫХ СОСТОЯНИЙ КРАЕВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЩЕЛИ И ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРАХ Bi₂ Te₃ и Bi₂ Se₃
Русинов И.П., Нечаев И.А., Чулков Е.В.

Поступила в редакцию: 29 Октября 2012

DOI: 10.7868/S0044451013060177

DJVU (4.7M)

PDF (8.1M)

Рассмотрены особенности дисперсии состояний краев энергетической щели в объемных топологических изоляторах Bi₂ Te₃ и Bi₂ Se₃ в рамках теории функционала электронной плотности. Проанализирована зависимость указанной дисперсии как от приближения, выбираемого для обменно-корреляционного функционала, при фиксированных параметрах элементарной ячейки и атомных позициях, так и от значений этих параметров и положений атомов в ячейке, получаемых в результате структурной релаксации, проведенной при использовании того или иного приближенного функционала. Обсуждается относительное положение точки Дирака топологически защищенных поверхностных состояний и максимума валентной зоны в электронной структуре поверхности изучаемых топологических изоляторов.