ЖЭТФ, Том 143,
Вып. 4,
стр. 674 (Апрель 2013)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 116, No 4,
p. 587,
April 2013
доступен on-line на www.springer.com
)
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ 4 He
Кешишев К.О., Марченко В.И., Шемятихин Д.Б.
Поступила в редакцию: 12 Декабря 2012
DOI: 10.7868/S0044451013040071
Прослежена эволюция менисков кристаллов гелия вблизи грани (0001) при изменении граничных условий на стенке камеры в диапазоне температур 0.5-0.9 K. Выяснен характер критического поведения краевого угла. Обнаружена анизотропия энергии границы кристалл-стекло. Получены новые данные о температурной зависимости энергии элементарных ступеней.
|
|
Золотые страницы
DJVU (114.5K)
PDF (1608.9K)