АНТИГИСТЕРЕЗИС СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАФЕНА НА ПОДЛОЖКЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА Pb( Zr_x Ti_1-x) O₃
Курчак А.И., Стриха М.В.

Поступила в редакцию: 22 Мая 2012

DOI: 10.7868/S0044451013010129

DJVU (86.6K)

PDF (264.1K)

Построена количественная модель для объяснения антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке из сегнетоэлектрика Pb(Zr_x Ti_1-x) O₃ с изменением напряжения на затворе. Модель учитывает захват электронов из слоя графена на состояния, связанные с интерфейсом графен-сегнетоэлектрик. При этом учтена конечная энергетическая ширина зоны примесных состояний, что позволило описать полученные ранее экспериментальные зависимости, включая увеличение, а затем насыщение «окна памяти» с увеличением переключающего напряжения на затворе. Сделанные оценки могут быть важны при создании элементов энергонезависимой памяти нового поколения, использующих возникающие в результате эффекта антигистерезиса два стабильных значения сопротивления, одному из которых соотносят логический «0», а второму - «1».