ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕДИ
Сайпулаева Л.А., Габибов Ф.С., Мельникова Нина.В., Алибеков А.Г., Хейфец О.Л., Бабушкин А.Н., Курочка К.В.

Поступила в редакцию: 2 Апреля 2012

DJVU (121.5K)

PDF (497.9K)

Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSe₃, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsS₃, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимулированной проводимости в CuInAsS₃ оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.