ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И УРОВЕНЬ ЛОКАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНЕЙТРАЛЬНОСТИ ПОЛИТИПОВ SiC ИЗ КВАЗИЧАСТИЧНЫХ РАСЧЕТОВ В РАМКАХ GW-ПРИБЛИЖЕНИЯ
Брудный В.Н., Кособуцкий А.В.

Поступила в редакцию: 13 Июля 2011

DJVU (98.6K)

PDF (281K)

С использованием GW-приближения для собственной энергии квазичастиц рассчитаны важнейшие межзонные переходы и положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) для политипов карбида кремния 3C-SiC и n H-SiC (n=2-8). Теоретические значения ширины E_g запрещенной зоны различных политипов, находящиеся в диапазоне 2.38 эВ( 3C-SiC)-3.33 эВ( 2H-SiC), очень близки экспериментальным данным в интервале 2.42-3.33 эВ. Квазичастичные поправки к величине E_g, определенной из расчетов DFT-LDA, почти не зависят от кристаллической структуры политипа и составляют около 1.1 эВ. Обнаружено, что положение CNL в различных политипах мало отличается друг от друга, при этом изменение величины CNL слабо коррелирует с изменением E_g, которая растет с увеличением степени гексагональности SiC. Рассчитанное значение CNL варьируется от 1.74 эВ в политипе 3C-SiC до 1.81 эВ в 4H-SiC.