СПИНОВАЯ ДИНАМИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПРОЦЕССЕ ИХ ЛОКАЛИЗАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ α'- (BEDT-TTF)₂ IBr₂
Моргунов Р.Б., Дмитриев А.И., Черненькая А.С., К.Якуши, К.Ямамото, Й.Танимото

Поступила в редакцию: 30 Ноября 2009

DJVU (157.7K)

PDF (687.5K)

В кристаллах α'-(BEDT-TTF)₂IBr₂ обнаружены резкие изменения интегральной интенсивности и ширины линии спектра электронного парамагнитного резонанса, сопровождающие локализацию носителей заряда. Обнаружены различия типов локализации в двух исследованных соединениях: в β''-(BEDT-TTF)₄NH₄[Cr(C₂O₄)₃] носители заряда локализуются на нерегулярных дефектах кристаллической решетки, а в α'-(BEDT-TTF)₂IBr₂ - в регулярных позициях элементарной ячейки. В α'-(BEDT-TTF)₂IBr₂ при низких температурах (T<50 К) наблюдается обменное сужение линии электронного парамагнитного резонанса и резкое уменьшение статической и динамической магнитных восприимчивостей. При высоких температурах (T>50 К) в кристаллах α'-(BEDT-TTF)₂IBr₂ наблюдается различие между статической и динамической магнитными восприимчивостями, обусловленное превышением частоты термоактивированных перескоков носителей заряда над частотой измерительного сверхвысокочастотного поля спектрометра электронного парамагнитного резонанса.