ЖЭТФ, Том 136,
Вып. 6,
стр. 1154 (Декабрь 2009)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 109, No 6,
p. 997,
December 2009
доступен on-line на www.springer.com
)
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ГЕРМАНИЯ В СЛОЯХ Si1-x Gex (x<0.1), ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКЕ Si(001), В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ИХ ТОЛЩИНЫ
Багаев В.С., Кривобок В.С., Мартовицкий В.П., Новиков А.В.
Поступила в редакцию: 5 Февраля 2009
PACS: 68.55.ag, 78.55.-m, 61.05.cp, 68.65.Fg
С помощью методов высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и низкотемпературной фотолюминесценции исследовано распределение германия в слоях Si(001)/ Si1-x Gex в зависимости от их толщины при малой концентрации легирующего элемента (x<6 %). Показано, что концентрация германия возрастает с ростом толщины слоя SiGe с появлением латеральных неоднородностей на его границе с покровным слоем кремния для слоев толщиной 30 нм и более. Эти неоднородности носят ориентированный характер и приводят к появлению анизотропного диффузного рассеяния для системы асимметричных рефлексов (113), (224) SiGe. Люминесценция таких пленок при низких температурах и плотностях возбуждения представляет собой излучение локализованных и делокализованных экситонов, характерное для системы с наличием беспорядка. Обнаруженное неоднородное распределение германия в латеральном направлении связывается с накоплением Ge в приповерхностном слое SiGe и с частичной релаксацией упругих напряжений за счет развития шероховатости поверхности и преимущественным встраиванием атомов Ge в один из склонов неровностей.
|
|