АНАЛИЗ СТРУКТУРЫ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ УЛЬТРАМАЛОУГЛОВОГО РЕНТГЕНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ
Абрамова В.В., Синицкий А.С., Григорьева Н.А., Григорьев С.В., Белов Д.В., Петухов А.В., Мистонов А.А., Васильева А.В., Третьяков Ю.Д.

Поступила в редакцию: 11 Июня 2008

PACS: 42.70.Qs, 41.60.Ap, 61.05.cf

DJVU (205.4K)

PDF (5.4M)

Представлены результаты исследования структуры образцов пленочных инвертированных опалов на основе оксида железа ( III) методом ультрамалоуглового рентгеновского рассеяния. Показано, что исследованные фотонные кристаллы имели ГЦК-структуру с дефектами упаковки, причем количество последних может быть различным для разных образцов. Разработанный метод позволяет легко различить образцы с преимущественной двойникованной ГЦК-структурой и образцы с последовательностью слоев близкой к идеальной ГЦК-структуре. Наблюдаемые различия в структуре образцов, полученных в одинаковых условиях, связаны с вероятностным характером формирования слоев при самосборке коллоидных кристаллов, использовавшихся в качестве темплатов для синтеза инвертированных опалов. Описанный метод анализа структуры фотонных кристаллов является универсальным и может быть эффективно использован для исследования инвертированных опалов на основе различных материалов, коллоидных кристаллов, а также трехмерных фотонных кристаллов других типов.