КАНАЛЫ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В СИСТЕМЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ТОНКОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ Si_0.93 Ge_0.07/ Si
Багаев В.С., Зайцев В.В., Кривобок В.С., Лобанов Д.Н., Николаев С.Н., Новиков А.В., Онищенко Е.Е.

Поступила в редакцию: 29 Мая 2008

PACS: 78.67.De, 71.10.Pm, 73.21.Fg, 71.35.Ee

DJVU (147.2K)

PDF (732.1K)

Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследован переход «экситонный газ-плазма» (переход Мотта) в тонкой квантовой яме Si_0.93 Ge_0.07/ Si. Показано, что этот переход не является резким и происходит в диапазоне концентраций примерно от 6• 10¹⁰ см^-2 до 1.2• 10¹² см^-2. При температуре 23 К и плотностях возбуждения больших 10 Вт/см² обнаружена стабилизация формы и положения линии излучения электронно-дырочной плазмы с ростом накачки, что может свидетельствовать о наличии перехода электронно-дырочный газ-жидкость. Показано, что при гелиевых температурах и низких плотностях возбуждения в спектре квантовой ямы доминирует излучение экситона, связанного на боре, а при увеличении температуры выше 10 К - излучение свободного экситона. Обсуждается влияние однородного и неоднородного уширения на люминесценцию электронно-дырочной плазмы и экситонов.