Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 132, Вып. 1, стр. 268 (Июль 2007)
(Английский перевод - JETP, Vol. 105, No 1, p. 238, July 2007 доступен on-line на www.springer.com )

ИНВЕРСИЯ ЭФФЕКТА РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ЭЛЕКТРОННО-ДОПИРОВАННОМ Ba0.6K0.4BiO3-x
Тулина Н.А., Клинкова П.А.

Поступила в редакцию: 12 Октября 2006

PACS: 74.62.Dh, 74.70.-b, 74.72.-h, 73.40.-c, 73.40.Ns, 74.62.Yb, 71.10.-w

DJVU (48.9K) PDF (262.1K)

Экспериментально обнаружен эффект электронной нестабильности гетеропереходов на базе монокристаллов Ba0.6K0.4BiO3-x. Показано, что эффект имеет противоположный знак по направлению электрического поля тока по сравнению с аналогичным эффектом, наблюдаемым в структурах на базе дырочно-допированных систем.

 
Сообщить о технических проблемах