Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 131, Вып. 4, стр. 662 (Апрель 2007)
(Английский перевод - JETP, Vol. 104, No 4, p. 586, April 2007 доступен on-line на www.springer.com )

ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА
Буга С.Г., Бланк В.Д., Терентьев С.А., Кузнецов М.С., Носухин С.А., Кульбачинский В.А., Кречетов А.В., Кытин В.Г., Кытин Г.А.

Поступила в редакцию: 13 Июня 2006

PACS: 71.20.-b, 72.20.-i, 72.20.Ee

DJVU (108.3K) PDF (722.7K)

Методом температурного градиента при высоких статических давлениях выращены монокристаллы алмаза с характерными размерами 2-7 мм, легированные бором в диапазоне концентраций 1019-1020 см-3. Измерена зависимость сопротивления R синтезированных монокристаллов от температуры в диапазоне 0.5 К K наблюдается активационная зависимость R(T) с энергией активации около 50 мэВ. При температурах ниже примерно 50 K зависимость проводимости от температуры сильнолегированных кристаллов пропорциональна T1/2, что характерно для вырожденных полупроводников с большим количеством дефектов.

 
Сообщить о технических проблемах