ДЕЛОКАЛИЗАЦИЯ ФОНОН-ПЛАЗМОННЫХ МОД В СВЕРХРЕШЕТКАХ GaAs/AlAs С ТУННЕЛЬНО-ТОНКИМИ БАРЬЕРАМИ AlAs
Володин В.А., Ефремов М.Д., Сачков В.А.

Поступила в редакцию: 4 Апреля 2006

PACS: 63.20.Ls

DJVU (121.3K)

PDF (399.7K)

С применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были исследованы нелегированные и легированные (n-типа) GaAs/AlAs-сверхрешетки с толщинами барьеров AlAs от 17 до половины монослоя. В спектре КРС легированной сверхрешетки с относительно толстыми барьерами обнаружен пик, соответствующий рассеянию на двумерном плазмоне. Положение экспериментального пика соответствовало значению, рассчитанному в модели плазменных колебаний в периодических плоскостях двумерного электронного газа. При уменьшении толщины барьеров AlAs эффекты туннелирования электронов играли все более заметную роль. В случае сверхрешетки с толщиной AlAs в 2 монослоя в спектрах КРС обнаружены пики, соответствующие рассеянию на связанных состояниях фононов с трехмерными плазмонами, т. е. наблюдалась делокализация связанных мод. При этом в данной сверхрешетке наблюдалась свертка акустических фононов, что говорит о ее хорошей периодичности, а в нелегированных сверхрешетках с толщиной AlAs 2 монослоя наблюдалась локализация оптических фононов в слоях GaAs.