
ЖЭТФ, Том 130,
Вып. 1,
стр. 171 (Июль 2006)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 103, No 1,
p. 151,
July 2006
доступен on-line на www.springer.com
)
БЕЗДИФФУЗИОННЫЙ РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ЭВТЕКТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЕ ПРИ ВЫСОКОСКОРОСТНОМ ЗАТВЕРДЕВАНИИ
Галенко П.К., Херлах Д.М.
Поступила в редакцию: 21 Февраля 2006
PACS: 05.70.Fh, 81.10.Aj, 81.30.Fb
Дан анализ результатов экспериментов по неравновесному высокоскоростному эвтектическому затвердеванию. Приведена оценка пределов применимости современных теоретических моделей для описания высокоскоростного затвердевания бинарных систем. Сформулирована задача о высокоскоростном росте эвтектической структуры, когда нарушаются условия локального равновесия в диффузионном поле переноса атомов (в объеме жидкости и на границе раздела жидкой и твердой фаз). Получено аналитическое решение задачи высокоскоростного пластинчатого роста эвтектики в поле локально неравновесной диффузии. Показано, что диффузионно ограниченный рост эвтектической структуры полностью заканчивается с переходом к росту химически однородной кристаллической структуры при достижении критической скорости V=VD (V - скорость границы раздела фаз, VD - скорость диффузии атомов в объеме жидкости). При происходит подавление эвтектического распада и кристаллическая фаза растет с исходным (номинальным) химическим составом бинарной системы.
|
|