О СООТНОШЕНИИ МЕЖДУ ТЕРМОАКТИВАЦИОННЫМИ И МАГНИТОСТИМУЛИРОВАННЫМИ ПРОЦЕССАМИ ПРИ ДВИЖЕНИИ ДИСЛОКАЦИЙ В КРИСТАЛЛАХ InSb В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Альшиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А., Ерофеева С.А.

Поступила в редакцию: 28 Сентября 2005

PACS: 81.05.Ea, 81.40.Rs, 62.20.Fe, 61.72.Lk, 61.72.Yx

DJVU (78K)

PDF (285.3K)

Показано, что в отличие от обычной подвижности дислокаций в кристаллах InSb, характеризуемой термоактивационной зависимостью скорости от температуры, , где U - энергия активации, релаксационные перемещения дислокаций в тех же кристаллах, помещенных в магнитное поле в отсутствие внешней нагрузки, описываются более сложной температурной зависимостью. В исследованном интервале температур 120-250 зависимость v(T) имеет тенденцию к спрямлению в координатах и 1/T лишь в «низкотемпературной» его части, а с ростом температуры быстро выходит на насыщение. Наблюдаемое уменьшение термочувствительности релаксационной подвижности дислокаций в магнитном поле при повышении температуры интерпретируется в рамках модели, описывающей отрыв дислокации от точечного дефекта как последовательность двух процессов: 1) магнитостимулированного понижения барьера, (за время τ_sp спиновой эволюции в системе) и 2) ожидания термической флуктуации (за время ). Таким образом, при достаточно низких температурах имеем и суммарное время до отрыва составляет , а при высоких температурах, напротив, и , т. е. движение становится атермичным. Показано, что эта модель хорошо описывает данные измерений и позволяет разделить эффекты. В частности, найдено понижение барьера от энергии активации U=0.8 эВ при нагрузке 10 МПа до U'=0.25 эВ в магнитном поле B=0.8 Tл.