СТАЦИОНАРНЫЕ СВЕТОИНДУЦИРОВАННЫЕ СИЛЫ В АТОМНОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ
Безвербный А.В., Прудников О.Н., Тайченачев А.В., Тумайкин А.М., Юдин В.И.

Поступила в редакцию: 24 Февраля 2005

PACS: 32.80.Bx, 32.80.Pj, 42.50.Vk

DJVU (329.5K)

PDF (758.5K)

Рассмотрены общие свойства светоиндуцированных сил, возникающих в произвольных монохроматических диссипативных световых масках, в которых процессы оптической накачки атомов и спонтанного излучения играют важную роль. Определены области локализации атомов в зависимости от отстройки и локальной эллиптичности поля для двух типов циклических переходов: с полуцелыми J и с произвольными J. С помощью численного моделирования фокусировки атомарных пучков в рамках квазиклассического подхода в одномерных и двумерных световых масках показано, что в диссипативных масках возможно формирование атомарных пространственных распределений с узкими структурами и высокой контрастностью. В частности, в linlin-конфигурации оптическая накачка приводит к значительному уменьшению сферических аберраций в случае переходов с большими значениями J по сравнению с недиссипативными световыми масками.