ОСОБЕННОСТИ ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СЛОЯХ GaMnSb, ПОЛУЧЕННЫХ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЫ
Рыльков В.В., Аронзон Б.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Лесников В.П., Маслаков К.И., Подольский В.В.

Поступила в редакцию: 23 Сентября 2004

PACS: 72.25.Dc, 75.47.-m, 72.20.My

DJVU (181.7K)

PDF (564.7K)

Методом осаждения из лазерной плазмы в вакууме получены эпитаксиальные пленки GaMnSb, содержание Mn в которых достигает примерно 10 ат.%. Температура роста T_s при нанесении пленок варьировалась в диапазоне 440-200 , что приводило к изменению концентрации дырок соответственно от 3• 10¹⁹ до 5• 10²⁰ см^-3. Структурные исследования показали, что слои GaMnSb помимо ионов Mn, замещающих Ga, содержат ферромагнитные содержащие Mn кластеры и контролируемые величиной T_s мелкие акцепторные дефекты типа Ga_Sb. В отличие от ранее изученных однофазных GaMnSb-систем (знак аномального эффекта Холла отрицательный, а температура Кюри не превышает 30 К), в полученных пленках обнаружен аномальный эффект Холла положительного знака, гистерезисный характер которого проявлялся при температурах вплоть до комнатной, причем тем сильнее, чем выше концентрация дырок. Необычное поведение этого эффекта интерпретируется с позиции взаимодействия носителей заряда с ферромагнитными кластерами, которое в значительной мере определяется наличием барьеров Шоттки на их границе с полупроводниковой матрицей и усиливается с возрастанием концентрации дырок. Показано также, что обсуждавшееся в литературе отсутствие данного эффекта в полупроводниковых соединениях на основе элементов III-V групп с ферромагнитными кластерами MnSb или MnAs связано, вероятнее всего, с низкими значениями концентрации дырок в полученных объектах.