Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 126, Вып. 3, стр. 609 (Сентябрь 2004)
(Английский перевод - JETP, Vol. 99, No 3, p. 530, September 2004 доступен on-line на www.springer.com )

РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ ВИРТУАЛЬНЫЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ФОРМИРУЮЩИЕСЯ ВСЛЕДСТВИЕ ОТРАЖЕНИЯ ОТ ГРАНИЦЫ СИЛЬНОЛЕГИРОВАННОЙ ОБЛАСТИ GaAs
Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Дубровский Ю.В.

Поступила в редакцию: 12 Марта 2004

PACS: 73.40.Gk, 73.21.Fg

DJVU (125.7K) PDF (363.4K)

Статья посвящена изучению транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs. Была обнаружена осциллирующая компонента транспортных характеристик симметричных однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs со спейсерами, обусловленная резонансным туннелированием электронов через виртуальные состояния, формирующиеся в спейсерной области структур вследствие отражения электронов от границы n--GaAs/n+-GaAs и их последующей интерференции. Продемонстрировано, что электроны отражаются от границы сильнолегированной области преимущественно когерентно, как от одномерного усредненного потенциала случайно расположенных, начиная с этой границы, примесей. Показано, что подавление низкоэнергетических виртуальных резонансов обусловлено рассеянием электронов в результате их взаимодействия с продольными оптическими фононами (LO-фононами) в области спейсера.

 
Сообщить о технических проблемах