
ЖЭТФ, Том 125,
Вып. 6,
стр. 1340 (Июнь 2004)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 98, No 6,
p. 1174,
June 2004
доступен on-line на www.springer.com
)
ПРИМЕСНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА С УЧАСТИЕМ РЕЗОНАНСНЫХ СОСТОЯНИЙ МЕЛКИХ ДОНОРОВ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ
Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В.
Поступила в редакцию: 27 Ноября 2003
PACS: 73.20.Hb
Рассчитан энергетический спектр локализованных и резонансных состояний мелких доноров в гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs с квантовыми ямами. Найдены величины ширины резонансных состояний, принадлежащих второй подзоне размерного квантования. Показано, что ширина резонансного уровня в основном определяется взаимодействием с оптическими фононами. Найден спектр примесного поглощения света, обусловленного электронными переходами с основного состояния донора в резонансные состояния, принадлежащие второй подзоне размерного квантования.
|
|