НОРМАЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ ФОНОН-ФОНОННОГО РАССЕЯНИЯ И ТЕРМОЭДС УВЛЕЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ С ИЗОТОПИЧЕСКИМ БЕСПОРЯДКОМ
Кулеев И.Г., Кулеев И.И., Талденков А.Н., Инюшкин А.В., Ожогин В.И., Ито К., Халлер Ю.

Поступила в редакцию: 10 Декабря 2002

PACS: 72.20.Pa, 72.80.Cw, 72.20.Dp

DJVU (159.6K)

PDF (489.3K)

Экспериментально обнаружена сильная зависимость термоэдс кристаллов германия от изотопного состава. Развита теория увлечения электронов фононами в полупроводниках с невырожденной статистикой носителей тока, учитывающая особенности релаксации импульса фононов в нормальных процессах фонон-фононного рассеяния. Проанализировано влияние дрейфового движения фононов на термоэдс увлечения в кристаллах германия с различным изотопным составом для двух вариантов релаксации импульса фононов в нормальных процессах рассеяния фононов. При расчете термоэдс использованы времена релаксации фононов, определенные из данных по теплопроводности германия. Проанализирована роль неупругости электрон-фононного рассеяния в термоэдс увлечения в полупроводниках. Дано качественное объяснение изотопического эффекта в термоэдс увлечения. Показано, что этот эффект связан с дрейфовым движением фононов, которое оказывается весьма чувствительным к изотопическому беспорядку в кристаллах германия.