ЖЭТФ, Том 123,
Вып. 3,
стр. 607 (Март 2003)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 96, No 3,
p. 538,
March 2003
доступен on-line на www.springer.com
)
СТЕКОЛЬНОЕ ПОВЕДЕНИЕ РЕЛАКСАТОРНОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА Cd2Nb 2O7 В СЛАБОМ ПОСТОЯННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Колпакова Н.Н.
Поступила в редакцию: 10 Сентября 2002
PACS: 77.22.-d, 61.43.-j, 77.90.+k, 77.84.Dу
На примере релаксаторной системы Cd2Nb2O7 исследовано температурное поведение диэлектрического отклика на частоте 1 кГц (110 К и параметра порядка q(T), характеризующего в релаксаторном сегнетоэлектрике, для образцов с разными термическими и электрическими историями в постоянном электрическом поле, значительно меньшем поля насыщения поляризации. В слабом поле (Edc=0.95 кВ/см) в области Tf=184 К поведение изменяется, а при более низких температурах кривые монотонно расходятся, что указывает на развитие стекольного состояния в системе. Анализ поведения q(T) в рамках моделей спиновых и дипольных стекол показал, что в фазе, развивающейся ниже Tf, при ZFC- и FH/ZFC-режимах доминирующую роль играют случайные взаимодействия полярных микрообластей в присутствии случайных полей. Относительный вклад случайных полей возрастает при FC-режиме в слабом поле и проявляется при ZFH/FC-режиме как ниже, так и выше Tf.
|
|