Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 123, Вып. 3, стр. 607 (Март 2003)
(Английский перевод - JETP, Vol. 96, No 3, p. 538, March 2003 доступен on-line на www.springer.com )

СТЕКОЛЬНОЕ ПОВЕДЕНИЕ РЕЛАКСАТОРНОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА Cd2Nb 2O7 В СЛАБОМ ПОСТОЯННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Колпакова Н.Н.

Поступила в редакцию: 10 Сентября 2002

PACS: 77.22.-d, 61.43.-j, 77.90.+k, 77.84.Dу

DJVU (77.8K) PDF (299.3K)

На примере релаксаторной системы Cd2Nb2O7 исследовано температурное поведение диэлектрического отклика \varepsilon_{his}(T) на частоте 1 кГц (110 К и параметра порядка q(T), характеризующего \varepsilon(T) в релаксаторном сегнетоэлектрике, для образцов с разными термическими и электрическими историями в постоянном электрическом поле, значительно меньшем поля насыщения поляризации. В слабом поле (Edc=0.95 кВ/см) в области Tf=184 К поведение \delta\varepsilon(T)\propto\chi _{nl} изменяется, а при более низких температурах кривые \varepsilon_{his}(T) монотонно расходятся, что указывает на развитие стекольного состояния в системе. Анализ поведения q(T) в рамках моделей спиновых и дипольных стекол показал, что в фазе, развивающейся ниже Tf, при ZFC- и FH/ZFC-режимах доминирующую роль играют случайные взаимодействия полярных микрообластей в присутствии случайных полей. Относительный вклад случайных полей возрастает при FC-режиме в слабом поле и проявляется при ZFH/FC-режиме как ниже, так и выше Tf.

 
Сообщить о технических проблемах