ПОВЕДЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В КРЕМНИИ ПРИ НАЛИЧИИ МЕХАНИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ВОЗМУЩЕНИЙ
Орлов А.М., Скворцов А.А., Соловьев А.А.

Поступила в редакцию: 6 Сентября 2002

PACS: 61.72.-y

DJVU (116.5K)

PDF (399.8K)

Проведена идентификация различных типов дислокационных стопоров и определены их основные параметры. На примере петлевых дислокаций оценено влияние внутренних напряжений на перемещение линейных дефектов в n- и p-Si в поле внешних упругих сил. Установлена активизация дислокационного транспорта после предварительной магнитной обработки кремниевых пластин. В отсутствие внешних механических нагрузок экспериментально зафиксировано смещение дислокационных полупетель (30-50 мкм) в неоднородном поле внутренних напряжений кристалла кремния с царапиной (концентратор напряжений) при изотермическом отжиге при температуре 600-700 в течение 0.5-3 ч. Описание дислокационного транспорта проводилось с учетом собственного (решеточного) потенциального барьера кристалла и двух видов стопоров на базе магниточувствительных точечных дефектов (легирующая примесь) и дислокаций «леса». Предложена кинетическая модель магнитостимулированных изменений подвижности линейных дефектов, связанных с образованием долгоживущих комплексов с участием парамагнитной примеси. Экспериментально зафиксировано двух- и трехкратное увеличение скорости перемещения дислокаций соответственно в n- и p-Si при обработке полупроводника в магнитном поле B=1 Тл в течение 5-45 мин. Обнаружен эффект «магнитной памяти» дислокационного кремния и рассмотрены кинетические аспекты эффекта при естественных условиях хранения образца после отключения магнитного поля. По согласованию эксперимента с теорией рассчитаны парциальные скорости перемещения дислокаций и их времена задержки на различных типах стопоров.