Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 121, Вып. 2, стр. 462 (Февраль 2002)
(Английский перевод - JETP, Vol. 94, No 2, p. 395, February 2002 доступен on-line на www.springer.com )

ПРОЦЕССЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ РЕЛАКСАЦИИ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО В ПИРОХЛОРЕ Cd2Nb2O7
Колпакова Н.Н., Чарнецки П., Наврочик В., Сырникова П.П., Лебедев А.О.

Поступила в редакцию: 24 Июля 2001

PACS: 77.22.Ch, 77.22.Gm

DJVU (137.3K) PDF (470.7K)

Исследована диэлектрическая дисперсия пирохлора Cd2Nb2O7 в широком диапазоне частот (100 Гц-13 МГц) в слабом электрическом поле при медленном охлаждении образца со скоростью 0.5 K/мин в интервале температур 80-300 К. При понижении температуры и приближении к Tc=196 K и T_{max}\sim 190 K в поведении диэлектрической проницаемости наблюдается отклонение от закона Кюри-Вейсса. Предполагается, что это отклонение вызвано развитием короткодействующей корреляции между локальными полярными областями при T \rightarrow T^+_{max}. Рассчитан локальный параметр порядка q(T)\sim\langle P_iP_j \rangle^{1/2} по диэлектрической проницаемости \varepsilon'(T) на нескольких частотах. Его поведение сравнивается с поведением спонтанной поляризации Ps(T), полученной по измерениям пироэлектрического тока во внешнем электрическом поле Edc=0.95 кВ/см. Показано, что в диапазоне частот от 100 Гц до 13 МГц дисперсия диэлектрического отклика в интервале температур 180-192 К характерна для релаксаторного сегнетоэлектрика со стеклоподобным поведением. Определены параметры этого состояния: энергия активации флуктуаций поляризации E_a\approx 0.01 эВ, скорость релаксации f0 = 1.9• 1012 Гц при T \rightarrow \infty и температура замораживания флуктуаций поляризации Tf=183 К. В отличие от ранее известных релаксаторных сегнетоэлектриков типа PMN, в пирохлоре Cd2Nb2O7 это состояние существует одновременно с нормальным сегнетоэлектрическим состоянием, появляющимся при Tc.

 
Сообщить о технических проблемах