ЖЭТФ, Том 118,
Вып. 5,
стр. 1092 (Ноябрь 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 91, No 5,
p. 1059,
November 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
РАСЧЕТ ВЕРОЯТНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В.
Поступила в редакцию: 26 Мая 2000
PACS: 33.60.-q
Предлагается алгоритм расчета спектров сечения фотоионизации носителей на глубоких центрах в электрических полях, опирающийся на формфункцию оптического перехода. Эксперимент и расчеты выполнены для комплекса VGa-SAs в арсениде галлия. Проведено сопоставление предлагаемой модели с теоретическими работами, основанными на однокоординатном приближении. Сделан вывод о применимости однокоординатной модели для описания полевой зависимости сечения фотоионизации электрона на центре VGa-SAs. Получены данные о влиянии внешнего электрического поля на изменения моментов формфункции полосы поглощения комплекса VGa-SAs в арсениде галлия. Сделан вывод о влиянии электрического поля на адиабатические потенциалы исследуемого центра.
|
|
Золотые страницы