
ЖЭТФ, Том 118,
Вып. 3,
стр. 666 (Сентябрь 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 91, No 3,
p. 579,
September 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
-U-ЦЕНТРЫ, ПЕРКОЛЯЦИЯ И ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ В ВТСП
Мицен К.В., Иваненко О.М.
Поступила в редакцию: 1 Марта 2000
PACS: 74.20.Mn, 74.62.Dh
Рассмотрен механизм формирования -U-центров в ВТСП. Показано, что переход от диэлектрического к металлическому состоянию при допировании проходит через определенный диапазон концентраций допанта, где становятся возможны локальные переходы синглетных электронных пар с ионов кислорода на два соседних катиона (-U-центр), в то время как одноэлектронные переходы еще запрещены. Проводимость в такой системе возникает при концентрации -U-центров, превышающей порог перколяции для орбиталей синглетных дырочных пар. Исходя из предложенной модели построена фазовая диаграмма ВТСП-соединений класса Ln-214, которая полностью согласуется с экспериментом. Рассмотрены механизмы образования и релаксации свободных дырочных носителей. Показано, что отличительной особенностью нормального состояния ВТСП является преобладающий вклад электрон-электронного рассеяния в процессы релаксации носителей заряда. На основании проведенного рассмотрения делается вывод, что ВТСП являются особым классом твердых тел, в которых осуществляется нестандартный механизм сверхпроводимости, отличный от БКШ.
|
|