Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 118, Вып. 2, стр. 455 (Август 2000)
(Английский перевод - JETP, Vol. 91, No 2, p. 399, August 2000 доступен on-line на www.springer.com )

ПРИРОДА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО КОЛОССАЛЬНОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК La0.35Nd0.35Sr0.3MnO 3
Абрамович А.И., Королева Л.И., Мичурин А.В., Шимчак Р., Деев С.

Поступила в редакцию: 16 Февраля 2000

PACS: 75.50.Pp, 72.15.Gd, 72.20.My

Обнаружено колоссальное отрицательное магнитосопротивление (примерно 12%) в поле 8.4 кЭ в широкой области температур ниже точки Кюри T_C\approx 240 К в монокристаллической пленке La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3 на подложке из монокристаллической пластины (001)ZrO2(Y2O3). На изотермах магнитосопротивления этой пленки наблюдается возрастание с полем его абсолютной величины: резкое в области технического намагничивания и в бóльших полях - почти линейное. У трех монокристаллических пленок такого же состава на подложках из (001)SrTiO3, (001)LaAlO3 и (001)MgO колоссальное магнитосопротивление имело место только в районе T_C\approx 240 К, а при TC оно слабо, почти линейно, возрастало с полем. В пленке на подложке из ZrO2(Y2O3) величина удельного электросопротивления примерно на 1.5 порядка выше, чем в трех других пленках. Показано, что это повышение обусловлено электросопротивлением границ между микрообластями с четырьмя типами кристаллографических ориентаций, а магнитосопротивление в области до технического насыщения намагниченности связано с туннелированием поляризованных носителей заряда через те границы, которые совпадают с доменными стенками (в трех других пленках имеется один тип кристаллографической ориентации). Обнаруженный у всех четырех пленок пониженный магнитный момент, составляющий всего 46% от чисто спинового значения, объяснен существованием магнитно-разупорядоченных микрообластей, причиной которых является большая толщина доменных границ, которая больше размера кристаллографических микрообластей и одного порядка с толщиной пленок. Колоссальное магнитосопротивление в районе TC и низкотемпературное магнитосопротивление в полях, превышающих поле технического насыщения, объяснены существованием в них сильного s-d-обмена, из-за которого происходит резкое уменьшение подвижности носителей тока (дырок) и их частичная локализация на уровнях вблизи верха валентной зоны. Под действием магнитного поля подвижность носителей заряда увеличивается и происходит их делокализация из указанных выше уровней.

 
Сообщить о технических проблемах