ЖЭТФ, Том 117,
Вып. 2,
стр. 452 (Февраль 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 90, No 2,
p. 400,
February 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ В КОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Каган В.Д.
Поступила в редакцию: 6 Сентября 1999
PACS: 72.20.-i, 72.30.+q
В полупроводниках высокочастотная проводимость обусловлена переполяризацией коллективных состояний примесной пары атомов, находящихся под действием хаотических электричеcких полей всех примесей. Кулоновская корреляция, значительно увеличивающая проводимость, возникает благодаря статистическому распределению частиц по четырем уровням двухатомной системы. Релаксационное поглощение и диэлектрическая проницаемость системы всех пар рассчитаны с учетом этой статистики.
|
|
Золотые страницы
DJVU (51.3K)
PDF (186.3K)