Формирование полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах при = , ,
Байдак С.Т., Лукоянов А.В.

Поступила в редакцию: 2 Февраля 2024

DOI: 10.31857/S0044451024090104

PDF (1450.9K)

Исследованы особенности формирования полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов , и . Теоретические расчеты, выполненные в рамках метода GGA+U с учетом электронных корреляций в 4f-оболочке редкоземельных элементов, показали, что три соединения, , и , являются полупроводниками с малой по величине прямой щелью 0.06, 0.10 и 0.09эВ для , и соответственно в высокосимметричной точке X. Обнаружено, что для формирования запрещенной зоны в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов важными оказываются как проведение оптимизации кристаллической структуры, так и учет спин-орбитального взаимодействия. Оксисульфостибниты редкоземельных металлов, как и их слоистые структурные аналоги оксисульфиды, благодаря своим свойствам могут найти широкое применение в биомедицине, фотолюминесценции и других областях.