Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


Готовится к печати
Том 163 , Вып. 5 , стр. 708

Влияние структурных параметров на особенности электронной структуры топологических поверхностных состояний \mathrm {MnBi}_2\mathrm {Te}_4
Макарова Т.П., Шикин А.М., Ерыженков А.В., Тарасов А.В.

Поступила в редакцию: 18 Ноября 2022

DOI: 10.31857/S0044451023050097

PDF (2069.4K)

Экспериментальные исследования электронной структуры антиферромагнитного топологического изолятора \mathrm {MnBi}_2\mathrm {Te}_4 показывают, что величина энергетической запрещенной зоны для различных образцов кристалла может варьироваться в широком энергетическом диапазоне. В связи с тем, что величина запрещенной зоны является одним из ключевых параметров при использовании данной системы для разработки новых функциональных электронных устройств, вопросы о причинах вариации запрещенной зоны в точке Дирака для \mathrm {MnBi}_2\mathrm {Te}_4 и ее связи с магнитными взаимодействиями являются весьма важными и требуют всестороннего анализа. С целью выявления факторов, влияющих на величину запрещенной зоны, в данной работе проведен анализ изменений электронной структуры исследуемого топологического изолятора при вариации величины поверхностного ван-дер-ваальсова промежутка. Результаты расчетов показали, что при подобных структурных модификациях значение запрещенной зоны может меняться в широком диапазоне от 80 .2222em - .2222em 88мэВ до 4-5мэВ, что объясняется сильным пространственным перераспределением топологических поверхностных состояний между семислойными блоками \mathrm {MnBi}_2\mathrm {Te}_4, имеющими противоположные направления магнитных моментов  \mathrm {Mn} . Полученные результаты позволяют предположить, что основным параметром, определяющим величину запрещенной зоны, является пространственная локализация топологических поверхностных состояний, на которую могут сильно влиять структурные изменения, происходящие на поверхности кристалла.

 
Сообщить о технических проблемах