Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


JETP, Vol. 66, No 4, p. 808 (October 1987)
(Русский оригинал - ЖЭТФ, Том 93, Вып. 4, стр. 1419, Октябрь 1987 )

Impurity photoconductivity of weakly compensated silicon under conditions of delocalization of D- (A+) states
L.A. Vorozhtsova, E.M. Gershenzon, Yu. A. Gurvich, F.M. Ismagilova, L.B. Litvak-Gorskaya, A.P. Mel'nikov

Поступила в редакцию: 19 Февраля 1987

PDF (333.7K)


 
Сообщить о технических проблемах