РАСЧЕТ ИНТЕНСИВНОСТИ ТУШЕКОВСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ В НАКОПИТЕЛЕ ВЭПП-4М
Никитин С.А., Николаев И.Б.

Поступила в редакцию: 5 Октября 2011

DJVU (181K)

PDF (467.6K)

Получены формулы для расчета интенсивности внутрисгусткового рассеяния электронов в нерелятивистском и релятивистском случаях в борновском приближении для одномерной и двумерной моделей столкновений. Проанализирована релятивистская двумерная модель Байера - Каткова - Страховенко с кулоновскими поправками. С ее использованием получены формулы в ультрарелятивистском пределе. Выполнено сравнение различных моделей друг с другом. С учетом условий регистрации рассеявшихся частиц счетчиком в ВЭПП-4М проведены расчеты интенсивности тушековских электронов и поляризационного вклада в сравнении с экспериментальными данными.