Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 138, Вып. 3, стр. 557 (Сентябрь 2010)
(Английский перевод - JETP, Vol. 111, No 3, p. 495, September 2010 доступен on-line на www.springer.com )

МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАКЛОННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ В СТРУКТУРАХ p- Si/SiGe/Si С АНИЗОТРОПНЫМ g-ФАКТОРОМ
Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Миронов О.А., Leadley D.R.

Поступила в редакцию: 17 Ноября 2009

DJVU (659.4K) PDF (1237.2K)

Магнитосопротивление ρxx и ρxy и акустоэлектронные эффекты измерены в p- Si/SiGe/Si c концентрацией примесей p=1.99\cdot10^{11} см-2 в температурной области 0.3-2 К и в наклонном магнитном поле до 18 Тл. Определена зависимость эффективного g-фактора от угла наклона θ магнитного поля относительно нормали к плоскости двумерного канала p- Si/SiGe/Si. В магнитных полях, соответствующих числу заполнения u=2, при \theta\approx 59-60 наблюдается фазовый переход первого рода ферромагнетик-парамагнетик.

 
Сообщить о технических проблемах