Влияние токов утечки на резистивное переключение и процедуру формовки мемристивных OxRAM-устройств
Андреева Н.В., Рындин Е.А., Мазинг Д.С., Усикова А.А., Романов А.А., Айвазян В.М., Петров М.О.

Received: June 7, 2025

DOI: 10.31857/S0044451025090160

PDF (5M)

Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций Al₂O₃/TiO_x в конденсаторной структуре, копланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.