Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 160, No. 3, p. 393 (September 2021)
(English translation - JETP, Vol. 133, No. 3, p. 332, September 2021 available online at www.springer.com )

Влияние флуктуационного разупорядочения решетки на термостимулированный перенос энергии электронных возбуждений
Огородников И.Н.

Received: January 25, 2021

DOI: 10.31857/S0044451021090054

PDF (300.3K)

Приведены результаты экспериментального изучения и численного моделирования термостимулированных процессов переноса энергии электронных возбуждений в условиях протекания флуктуационного разупорядочения решетки. Сформулированная модель основана на рассмотрении потока кинетических частиц из возбужденных состояний в основное состояние через потенциальный барьер, параметры которого подвержены влиянию флуктуационного разупорядочения решетки. В рамках развиваемой модели получены соотношения, связывающие параметры термостимулированного процесса переноса энергии электронных возбуждений (средняя высота потенциального барьера \overline {E}, экспериментально наблюдаемая средняя энергия активации \langle E\rangle термостимулированного процесса и условие экстремума потока кинетических частиц) c параметрами процесса разупорядочения решетки. Численными расчетами для различных значений параметров флуктуационного разупорядочения получены зависимости температурного положения и амплитуды максимума потока. Детально рассмотрены два предельных случая влияния процесса разупорядочения на локальное окружение центров захвата, приводящего к уменьшению и увеличению высоты потенциального барьера центров захвата, участвующих в процессе возбуждения рекомбинационной люминесценции. Представлены экспериментальные результаты исследования термостимулированной люминесценции в режиме линейно-осциллирующего нагрева, полученные при T=80-273 K для нелегированных монокристаллов трибората лития LiB3O5 (LBO). Обнаружены появление так называемых спонтанных сцинтилляций (T<180 K) и аномальный рост \langle E\rangle (T=100-140 K). Наблюдаемые особенности объяснены влиянием термостимулированного ионного процесса в литиевой подрешетке LBO, приводящего к флуктуационной перестройке локального окружения центров захвата B2+, результатом которой является уменьшение высоты потенциального барьера данных центров примерно на 20%.

 
Report problems