Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 156, No. 2, p. 338 (August 2019)
(English translation - JETP, Vol. 129, No. 2, August 2019 available online at www.springer.com )

Диаграммы стабильности туннельной наногетероструктуры в приближении свободных электронов
Лифатова Д.А., Ведяев А.В., Рыжанова Н.В., Котельникова О.А., Чшиев М.Г., Стрелков Н.В.

Received: March 16, 2019

DOI: 10.1134/S0044451019080121

PDF (347.9K)

Одной из важных характеристик наногетероструктуры с магнитным туннельным переходом (МТП), применяемой в основе ячейки памяти MRAM (magnetic random access memory) и переключаемой с помощью эффекта спинового торка STT (spin transfer torque), является ее диаграмма стабильности, определяющая области значений внешнего магнитного поля и приложенного напряжения, при которых ячейка находится в одном из двух стабильных состояний. Для численного построения таких диаграмм обычно используется решение динамического уравнения Ландау-Лифшица в однодоменном приближении с применением феноменологических констант, определяющих значения спинового торка в данном материале. В данной статье рассматривается задача спин-зависящего электронного транспорта в МТП-структуре, решение которой в приближении свободных электронов позволяет вычислить значения спинового торка для заданного материала в любой магнитной конфигурации системы и использовать их при интегрировании уравнения Ландау-Лифшица. Используемый метод позволяет более точно воспроизвести форму диаграммы стабильности и предсказать критические значения магнитного поля и напряжения, необходимых для переключения ячейки MRAM на основе МТП-структуры.

 
Report problems