Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 155, No. 6, p. 1107 (June 2019)
(English translation - JETP, Vol. 128, No. 6, June 2019 available online at www.springer.com )

Электронная структура и электронные свойства монокристалла PtSn4
Марченков В.В., Доможирова А.Н., Махнев А.А., Шредер Е.И., Лукоянов А.В., Наумов С.В., Чистяков В.В., Марченкова Е.Б., Huang C.A., Eisterer M.

Received: January 15, 2019

DOI: 10.1134/S0044451019060154

PDF (1629.7K)

Выращен монокристалл топологического полуметалла PtSn4 и исследованы его электросопротивление в диапазоне температур от 4.2 К до 300 К, гальваномагнитные свойства при температурах от 4.2 К до 80 К и в магнитных полях до 100 кЭ, оптические свойства при комнатной температуре, а также выполнены теоретические расчеты электронной структуры. Показано, что остаточное сопротивление достаточно мало и составляет ρ 0=0.47 мкОм• см, что характерно для «хорошего» металла, а зависимость ρ (T) имеет металлический характер, монотонно возрастая с температурой. Анализ температурных зависимостей магнитосопротивления позволяет судить о том, что поверхность Ферми соединения PtSn4 может содержать замкнутые листы. Исследования эффекта Холла и сделанные оценки в рамках однозонной модели позволили заключить, что преобладающим типом носителей тока являются дырки с концентрацией n=6.8• 1021 см-3 и подвижностью \mu \approx 1950 см2/В• с при T=4.2 K. Показано, что оптические свойства PtSn4 имеют особенности, характерные для «плохих» металлов. Расчет электронной структуры соединения PtSn4 показал, что, в целом, это соединение имеет структуру, характерную для металлических систем с достаточно большим числом электронных состояний на уровне Ферми, что согласуется с экспериментальными результатами по электронным транспортным и оптическим свойствам монокристалла PtSn4.

 
Report problems