Формирование магнитной анизотропии пленок GaMnSb термообработкой
Дмитриев А.И., Кочура А.В., Кузьменко А.П., Паршина Л.С., Новодворский О.А., Храмова О.Д., Дмитриева М.С., Кочура Е.П., Васильев А.Л., Аронзон Б.А.

Received: April 12, 2018

DOI: 10.1134/S0044451018090000

PDF (3148.6K)

Определены условия и механизмы контролируемого изменения магнитной анизотропии посредством термообработки пленок GaMnSb, содержащих магнитные нановключения MnSb. С помощью СКВИД-магнитометра измерены температурные и полевые зависимости магнитного момента двух групп образцов - до и после отжига. Установлено, что термообработка пленок GaMnSb приводит к заметному увеличению характеристик, определяющихся магнитной анизотропией: температуры блокировки от 95 К до 390 К и поля магнитной анизотропии от 330 Э до 630 Э. Данные просвечивающей электронной микроскопии указывают на то, что изменение магнитной анизотропии пленок GaMnSb в результате термообработки может быть обусловлено переходом кристаллической структуры магнитных нановключений MnSb из гексагональной (пространственная группа P6₃/mmc) в кубическую (пространственная группа F-43m).