Влияние ультратонких пленок Pb на поверхностные топологические и квантово-размерные состояния топологических изоляторов Bi₂Se₃ и Sb₂Te₃
Сурнин Ю.А., Климовских И.И., Состина Д.М., Кох К.А., Терещенко О.Е., Шикин А.М.

Received: December 18, 2017

DOI: 10.7868/S0044451018040119

PDF (940.7K)

Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально изучено влияние ультратонкой пленки Pb на поверхности соединений Bi₂Se₃ и Sb₂Te₃ на структуру электронных состояний топологических изоляторов. Выявлено наличие следующих особенностей: формирование двумерных состояний квантовой ямы в приповерхностной области, возрастание энергии связи дираковского конуса и внутренних уровней и одновременное перераспределение интенсивности электронных состояний системы в фотоэлектронных спектрах. Полученные результаты свидетельствуют о том, что топологические состояния имеют возможность существовать на границе раздела изучаемых материалов со сверхпроводником, что представляется перспективным для применения в квантовых компьютерах.