Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 151, No. 4, p. 776 (April 2017)
(English translation - JETP, Vol. 124, No. 4, April 2017 available online at www.springer.com )

Свойства растянутых образцов TaS3 в состоянии волны зарядовой плотности и в нормальном состоянии
Зыбцев С.Г., Покровский В.Я., Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Старешинич Д., Штурм С., Чернышева Е.

Received: November 3, 2016

DOI: 10.7868/S0044451017040174

PDF (5.5M)

Одноосное растяжение нитевидных образцов квазиодномерного проводника ромбического TaS3 на величину, превышающую \varepsilon _c\sim 0.8%, приводит к резкому росту когерентности свойств волны зарядовой плотности, что проявляется в ее движении в полях больших порогового, Et. Показано, что при одноосном удлинении TaS3 проявляет необычные свойства и в слабых полях: наблюдается немонотонная зависимость температуры пайерлсовского перехода TP от \varepsilon , уменьшение одномерных флуктуаций вблизи TP, а также увеличение длин когерентности волны зарядовой плотности при TP. Исследования в полях больших Et показали, что ультракогерентные свойства волн зарядовой плотности наблюдаются в широком диапазоне температур и сохраняются при повышении температуры вплоть до TP. Эти свойства ВЗП позволили наблюдать резкий рост Et вблизи TP, а также практически скачкообразный рост Et при T<90 К. Рост Et при приближении к TP объясняется уменьшением объема когерентности волны зарядовой плотности из-за флуктуационного подавления пайерлсовской щели.

 
Report problems