Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 151, No. 2, p. 364 (February 2017)
(English translation - JETP, Vol. 124, No. 2, p. 311, February 2017 available online at www.springer.com )

Влияние температуры и магнитного поля на беспорядок в полупроводниковых структурах
Агринская Н.В., Козуб В.

Received: August 10, 2016

DOI: 10.7868/S0044451017020158

PDF (217.4K)

Выполнен последовательный теоретический анализ различных факторов, которые могут приводить к влиянию температуры и внешнего магнитного поля на характер беспорядка в полупроводниковых структурах. Основное внимание уделено структурам квантовых ям, в которых легированы или только ямы, или и ямы, и барьеры, причем степень легирования предполагается близкой к переходу металл-диэлектрик. Среди указанных факторов: а) ионизация локализованных состояний в область делокализованных состояний над краем подвижности, наличие которого предполагается в примесной зоне; б) сосуществование верхней и нижней зон Хаббарда (при легировании как ям, так и барьеров); при этом, в частности, внешнее магнитное поле влияет на относительный вклад верхней зоны Хаббарда за счет спиновых корреляций на двукратно заполненных узлах; в) вклад обменного взаимодействия в парах узлов, при котором внешнее магнитное поле может влиять на соотношение между ферромагнитными и антиферромагнитными конфигурациями. Все эти факторы, влияя на структуру и силу беспорядка, приводят как к особенностям температурной зависимости сопротивления, так и к специфическим особенностям магнитосопротивления. Полученные выводы сравниваются с имеющимися экспериментальными данными.

 
Report problems