ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КОЛЛОИДНЫХ КВАЗИДВУМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР CdSe В ГИБРИДНОМ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕМ ДИОДЕ
Селюков А.С., Витухновский А.Г., Лебедев В.С., Васильев Р.Б., Соколикова М.С.

Received: October 13, 2014

DOI: 10.7868/S0044451015040035

DJVU (451.9K)

PDF (1290.5K)

Представлены результаты исследования синтезированных в работе квазидвумерных наноструктур, представляющих собой полупроводниковые коллоидные нанопластинки CdSe с характерным продольным размером 20-70 нм и толщиной в несколько атомных слоев. Методами ТЕМ- и AFM-микроскопии и рентгеновской дифракции изучена их морфология, определены кристаллическая структура и размеры. При комнатных и криогенных температурах исследованы спектры и кинетика фотолюминесценции таких наноструктур (квантовых ям). С использованием органических материалов TAZ и TPD, составляющих соответственно электронный и дырочный транспортные слои, разработан гибридный светоизлучающий диод, который функционирует на основе нанопластинок CdSe в качестве плоского активного элемента (эмиттера). Получены спектральные и вольт-амперные характеристики созданного устройства с длиной волны излучения λ=515 нм. Напряжение включения устройства составило 5.5 В (видимое проявление свечения). Использование подобного типа квазидвумерных наноструктур является перспективным для создания гибридных светодиодов с чистым цветом и низкими рабочими напряжениями.