Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 145, No. 6, p. 1078 (June 2014)
(English translation - JETP, Vol. 118, No. 6, p. 951, June 2014 available online at www.springer.com )

ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ДВУХБАРЬЕРНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ
Елесин В.Ф.

Received: December 12, 2013

DOI: 10.7868/S0044451014060123

DJVU (102.7K) PDF (240.9K)

Найдено аналитическое решение задачи о переходных процессах в двухбарьерной наноструктуре. Получены явные выражения для переходного тока, возникающего под действием мгновенно прилагаемого слабого электрического поля. Возникающий ток за время, равное \hbar/\Gamma (Γ - ширина резонансного уровня), релаксирует к стационарному значению, совершая осцилляции с частотой \xi=\varepsilon-\varepsilon_R, где \varepsilon - энергия поступающих из эмиттера электронов, \varepsilon_R - энергия резонансного уровня. В квазиклассическом приближении найден переходный ток для взаимодействующих электронов. Показано, что учет взаимодействия может кардинально менять вид переходного тока, особенно при наличии гистерезиса ВАХ. Вблизи экстремальных значений ВАХ в области отрицательной дифференциальной проводимости частота осцилляций стремится к нулю и становится мнимой, компенсируя затухание. Таким образом, переходный ток релаксирует с очень большими временами без осцилляций. Наоборот, при положительной дифференциальной проводимости частота осцилляций становится очень большой, а время релаксации остается прежним - 1/Γ.

 
Report problems