Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 143, No. 5, p. 984 (May 2013)
(English translation - JETP, Vol. 116, No. 5, p. 854, May 2013 available online at www.springer.com )

ИНДУЦИРОВАНИЕ СПИН-ФЛИП-ПРОЦЕССАМИ РЕЗОНАНСА ФАНО ПРИ ТУННЕЛИРОВАНИИ ЭЛЕКТРОНА ЧЕРЕЗ СПИНОВЫЕ СТРУКТУРЫ АТОМНОГО МАСШТАБА
Вальков В.В., Аксенов С.В., Уланов Е.А.

Received: August 31, 2012

DOI: 10.7868/S0044451013050248

DJVU (92.2K) PDF (281.1K)

Показано, что включение неупругих спин-зависящих процессов рассеяния электрона на потенциальных профилях одиночной магнитной примеси и спинового димера инициирует резонансные особенности, обусловленные эффектом Фано, в транспортных характеристиках таких спиновых структур атомного масштаба. Для реализации резонанса и антирезонанса Фано принципиальную роль играют спин-флип-процессы, приводящие к конфигурационному взаимодействию состояний системы. Установлено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет радикально изменять проводящие свойства спиновых структур через резонансный механизм Фано.

 
Report problems