ИССЛЕДОВАНИЕ УЗКОПОЛОСНОГО N-РЕЗОНАНСА, ФОРМИРУЕМОГО В ТОНКИХ АТОМАРНЫХ СЛОЯХ РУБИДИЯ
Саргсян А., Мирзоян Р., Саркисян Д.

Received: April 3, 2012

DJVU (163.7K)

PDF (453.4K)

Исследован узкополосный N-резонанс, формируемый в Λ-системе атомов рубидия D₁-линии, при наличии буферного газа неона и излучения двух непрерывных узкополосных диодных лазеров. Использовались специальные ячейки, с помощью которых исследовалась зависимость процесса от толщины L столба паров в милли-, микро- и нанометровой областях. Проведенное сравнение зависимостей N-резонанса и резонанса электромагнитно-индуцированной прозрачности (ЭИП) от L показали: минимальная (рекордно малая) толщина, при которой регистрируется N-резонанс составляет L=50 мкм, в то время как контрастный ЭИП-резонанс легко формируется даже при нм. Показано, что N-резонанс в магнитном поле для атомов ⁸⁵ Rb расщепляется на пять или шесть компонент (в зависимости от направлений магнитного поля и лазерного излучения). Полученные результаты указывают на то, что в формировании N-резонанса начальным и конечным уровнями являются нижние уровни F_g=2,3. Проведено исследование зависимости N-резонанса от угла между лазерными пучками. Отмечены практические применения.