Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 142, No. 1, p. 181 (July 2012)
(English translation - JETP, Vol. 115, No. 1, p. 164, July 2012 available online at www.springer.com )

ОБОБЩЕНИЕ МОДЕЛИ МНОГОКРАТНОГО ЗАХВАТА
Шкилев В.П.

Received: January 17, 2012

DJVU (97.5K) PDF (220.1K)

Рассматривается прыжковый перенос заряда в неупорядоченных полупроводниках. С использованием концепции транспортного энергетического уровня выводятся макроскопические уравнения, являющиеся обобщением модели многократного захвата на тот случай, когда в полупроводнике присутствуют как энергетическая, так и пространственная неупорядоченности. Показано, что хотя оба вида неупорядоченности могут быть причиной дисперсионного переноса, частотная зависимость проводимости обусловливается исключительно пространственной неупорядоченностью.

 
Report problems