ВЛИЯНИЕ РЕКОНСТРУКЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-7\times 7 НА ДИФФУЗИЮ АТОМОВ СТРОНЦИЯ
Жачук Р.А., Тийс С.А., Ольшанецкий Б.З.

Received: March 14, 2011

DJVU (496.8K)

PDF (4.6M)

Методами сканирующей туннельной микроскопии и моделированием с использованием теории функционала плотности и метода Монте-Карло исследована диффузия атомов стронция по поверхности Si(111) при комнатной температуре. Найдено, что на процесс диффузии значительное влияние оказывает реконструкция чистой поверхности кремния со структурой . Определена средняя скорость движения атома стронция в ячейке структуры . Определены основные пути диффузии атома стронция и соответствующие им энергии активации. Показано, что на формирование полученных с помощью сканирующего туннельного микроскопа изображений поверхности Si(111)- с адсорбированными атомами стронция значительное влияние оказывает смещение электронной плотности от атома стронция к ближайшим адатомам кремния в структуре .