ZhETF, Vol. 140,
No. 3,
p. 583 (September 2011)
(English translation - JETP,
Vol. 113, No. 3,
p. 510,
September 2011
available online at www.springer.com
)
СПЕКТР ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНЫХ СОСТОЯНИЙ СТРУКТУРЫ Si/Ge С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge
Талочкин А.Б., Чистохин И.Б.
Received: January 9, 2011
Исследованы спектры латеральной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge различных размеров. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электрон-дырочного спектра структур Si/Ge. Показано, что дырочные уровни квантовых точек Ge хорошо описываются моделью «квантового ящика» с использованием реальных размеров островков Ge. Установлено, что положением длинноволновой границы фоточувствительности структур Si/Ge с квантовыми точками Ge можно управлять с помощью изменения параметров роста.
|
|
Golden Pages
DJVU (89.7K)
PDF (240.2K)