Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 138, No. 6, p. 1018 (December 2010)
(English translation - JETP, Vol. 111, No. 6, p. 898, December 2010 available online at www.springer.com )

СПЕКТРЫ ПРОПУСКАНИЯ И ОТРАЖЕНИЯ ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С РАМАНОВСКИМ ДЕФЕКТОМ
Архипкин В.Г., Мысливец С.А.

Received: March 15, 2010

DJVU (137.6K) PDF (333.8K)

Теоретически исследованы особенности комбинационного (рамановского) усиления пробного излучения в трехуровневых атомах, помещенных в дефект одномерного фотонного кристалла, в присутствии лазерного излучения (накачки) на высокочастотном смежном переходе. Показано, что существует область интенсивностей излучения накачки, в которой в спектре пропускания и отражения пробного поля одновременно возникают узкие пики (резонансы). Вне этой области пик в пропускании превращается в узкий провал. Спектральное положение этих пиков определяется комбинационным резонансом, а коэффициенты пропускания и отражения могут быть больше единицы при интенсивности излучения накачки от единиц мкВт/см2 до десятков мВт/см2. Природа узких пиков обусловлена резкой дисперсией нелинейного показателя преломления вблизи комбинационного резонанса, которая приводит к значительному уменьшению групповой скорости пробного излучения. Предложенная схема позволяет получать управляемые сверхузкие резонансы в спектрах пропускания и отражения фотонного кристалла.

 
Report problems