ОСОБЕННОСТЬ ВЗАИМОСВЯЗИ ЭЛЕКТРОННЫХ И МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ВТСП-КУПРАТОВ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ БЛИЖНИМ АНТИФЕРРОМАГНИТНЫМ ПОРЯДКОМ
Овчинников С.Г., Коршунов М.М., Козеева Л.П., Лавров А.Н.

Received: December 22, 2009

DJVU (229.5K)

PDF (926.8K)

Приводятся результаты измерений анизотропного электросопротивления монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников RBa₂ Cu₃ O_6+x ( R = Tm, Lu) в широком интервале уровней допирования, свидетельствующие о нетривиальном влиянии магнитного порядка на электронные свойства купратов. В частности, полученные данные наглядно демонстрируют кроссовер от состояния с умеренной анизотропией электросопротивления к сильноанизотропному состоянию с как по мере понижения температуры, так и по мере уменьшения концентрации дырок в плоскостях CuO₂. Показано также, что величина анизотропии чувствительна к магнитному состоянию плоскостей CuO₂ и достигает максимума при установлении дальнего антиферромагнитного порядка. Результаты обсуждаются в рамках теории, основанной на t-t'-t''-J^*-модели слоев CuO₂ с учетом сильных электронных корреляций и ближнего магнитного порядка. В этой теории демонстрируются аномалии спиновых корреляторов и топологии поверхности Ферми при критической концентрации дырок . Концентрационная зависимость энергии носителей тока показывает при p* частичное подавление энергии, обусловленное появлением псевдощели. Данная теория объясняет как экспериментально обнаруженную чувствительность анизотропии проводимости к установлению антиферромагнитного порядка, так и отсутствие аномалий в температурной зависимости сопротивления ρ_ab(T) в окрестности температуры Нееля.