РАСКРУТКА В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПИРАЛИ В ТОНКИХ СЛОЯХ СМЕКТИКА C^* ПРИ МЯГКОМ И ЖЕСТКОМ ПОВЕРХНОСТНОМ СЦЕПЛЕНИИ МОЛЕКУЛ
Долганов П.В., Жилин В.М., Долганов В.К., Кац Е.И.

Received: March 21, 2008

PACS: 61.30.Cz, 64.70.Md

DJVU (98.9K)

PDF (407.5K)

В работе теоретически изучена раскрутка электрическим полем спиральной структуры в тонких пленках сегнетоэлектрических смектиков. Используется дискретная модель, в которой каждый слой жидкого кристалла характеризуется двумерным вектором ξ_i, описывающим ориентацию молекул, и поляризацией P_i. Найдено, что раскрутка спирали в тонких пленках существенно отличается от известного поведения толстых образцов. В тонких пленках, например, дискретные промежуточные состояния, различающиеся целым или полуцелым числом витков спирали, образуются как при слабом, так и при сильном сцеплении молекул с поверхностью. Физическим фактором, определяющим такое поведение, является наличие приповерхностных областей с толщиной меньше шага спирали и соответствующей нескомпенсированной поляризацией.